4.6. Анализ объекта изобретения на примере способа

Рассмотрим второй пример, когда объектом предполагаемого изобретения является способ.

Например, предложен способ получения полупроводника фосфида индия, включающий в себя процесс взаимодействия металлического индия треххлористого фосфора при нагревании при температуре 700-750 °С с последующим охлаждением со скоростью 50-55 °С/час.

Разберем признаки предлагаемого способа.

А. Последовательность операций: нагрев исходной массы, после чего его охлаждают.
Б. Режим проведения операций:
– нагрев массы до температуры 700-750 °С;
– охлаждение массы со скоростью 50-55 °С/час.
В. Материалы и вещества, участвующие в процессе: металлический индий и треххлористый фосфор.

Известен наиболее близкий аналог – прототип, способ получения полупроводника фосфида индия, заключающийся в нагреве и взаимодействии реакционой смеси при температуре 76 °С – 350 °С, после чего производят отгонку треххлористого индия при температуре 600 °С с последующей конденсацией хлористого индия.

Выделим признаки прототипа.
А. Последовательность операции: нагрев реакционной массы, отгонка треххлористого индия, конденсация хлористого индия.
Б. Режим проведения операции:
– температура взаимодействия 76-350 °С;
– температура отгонки 600 °С.
В. Материалы и вещества, участвующие в процессе:
– металлический индий;
– треххлористый фосфор.
Составим таблицу для анализа заявляемого способа и прототипа.

Таблица 4.3. Результаты сопоставительного анализа способа

№ п.п. Прототип Предлагаемый объект
1. Взаимодействие металлического индия и треххлористого фосфора Взаимодействие металлического индия и треххлористого фосфора
2. Процесс ведут при температуре 700-750 °С
3. Процесс ведут при температуре 76-350 °С
4. Последующее охлаждение
5. Охлаждение ведут со скоростью 50-55 °С/час
6. Отгонка треххлористого индия при температуре 600 °С
7. Конденсация хлористого индия

Основными отличительными признаками заявляемого способа из признаков 2, 4 и 5 являются:
– ведение процесса в условиях производства при температуре 730 °С (отличительный признак), но этот признак должен быть расширен и проверкой установлен интервал (оптимальный) ведения процесса 700-750 °С;
– скорость охлаждения, которая после её проверки установлена 50-55 °С/час.

Эти отличительные признаки 2, 4, 5 в предлагаемом объекте по сравнению с признаками 3, 6, 7 в прототипе (температуре процесса 76-350 °С; отгонка при 600 °С треххлористого индия и конденсация хлористого индия) позволяют достичь значительный положительный эффект, а именно, повысить выход продукта с 65% до 76% и снизить в нём содержание примесей с 2% до 0,1%.

Определив отличительные признаки способа и его достигаемый положительный эффект, составим формулу изобретения:

«Способ получения фосфида индия, в особенности используемого для изготовления полупроводниковых материалов путем взаимодействия металлического индия и треххлористого фосфора при нагревании, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода и степени чистоты конечного продукта, процесс ведут при температуре 700-750 °С с последующим охлаждением реакционной массы до обычной температуры со скоростью 50-55 °С/час».

Учимся изобретать – 4.6. Анализ объекта изобретения на примере способа
Оцените данную страницу

Расскажите в социальных сетях или обсудите в комментариях →